| 型号： | STB8N65M5 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
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| 制造商： | STMicroelectronics | 描述： | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
详细参数 |
数值 |
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| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| STB8N65M5 PDF |  |
| 其它有关文件 | STB8N65M5 View All Specifications |
| 产品培训模块 | 5th Generation High Voltage Mosfet Technology |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | MDmesh™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 600 毫欧 @ 3.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 690pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 70W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 497-10875-2 |